Para el iphone de apple usb 3.0, disco de U LGA60 SM3267L de la junta de control del tablero del PWB libre de cristal con LGA doble-pad E2NAND Hynix E NAND FLASH

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NOTA: Si usted no sabe cómo SOLDAR LOS CHIPS o no la SILLED de SOLDADURA.Por favor, no compre!Sólo vendemos el DISCO de U PCB y SHELL, no te enseñan a SOLDAR LOS CHIPS!!!Ayuda a reciclar los de Apple E2NAND chips, esta UFD PCBA de la placa puede ayudar a su partido / usa Apple E2NAND a ser el nuevo disco de U.trabajando en H2JTDG8UD1BMS y H2JTDG8UD2MBR E2NAND Flash (H2J***** serie), y puede trabajar en usa Skhynix E2NAND ( iphone 5-6p).Nota: antes de que el iPhone 4S, es NAND Flash, después de 4s a 6P, Apple adoptar ENAND FLASH o E2NAND (LGA60 Paquete), después de que el iphone 7, adoptar LAG70 paquete Flash. 1: sólo admite utilizado E2NAND Flash (Skhynix ) 2: no se admite utilizar E2NAND Flash ( Sandisk y Toshiba ) 3: USB 3.0 opcional, soporte para USB 3.0, dos Flash. 4.No aplica para el común de los LGA60. Es compatible con el iPHONE E2NAND LGA60 HDD/Flash de la Lista de SanDisk SDMALBB2 -16G SDMALBB - 8G SDMALBB4 - 32G SDMALBB8 - 64G TOSHIBA THGBX2G7D2JLA01 -16G THGVX1G7D2GLA08 - 16G THGVX1G8D4GLA08 - 32G THGVX1G9D8GLA08 - 64G THGBX2G8D4JLA01 - 32G THGBX2G9D8JLA01 - 64G Samsung K9LEAG4FWCA SK Hynix Apoyo de 16GB a 64GB 1. CE configuración de los puentes. 1CE flash 0Ω resistor está conectado a R6. 2CE de Memoria Flash 0Ω Resistencia en R7 4CE de memoria flash R6 y R7 no tiene resistencias. 2. TSOP/LGA configuración de los puentes.LGA60 pad: pegar 0Ω resistencia SB13 (ajuste predeterminado, puenteado).TSOP48 Pad Estándar de Puente: Aplicar 0 Ω resistencia (SB13 a SB12) a SB4, SB5, SB6, SB8, SB10, SB11 y SB12. * Se recomienda que el USB2.0 interfaz se utiliza para la apertura de la tarjeta, y que el iPhone chipset que Anguo había abierto probablemente no será exitoso en el volumen de producción! 1 x Junta 1 x Shell

BRICOLAJE, Suministros ELÉCTRICA
Número De Modelo usb 3.0, disco de U BRICOLAJE

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